Основные параметры:

Большой радиус плазмы

0,9 м

Малый радиус плазмы

0,45 м

Аспектное отношение А

2

Удлинение плазмы К95

1,7

Тороидальное магнитное поле на оси Вто

1

Ток плазмы

750 кА

Длительность тока

4 – 5 с

Мощность ВЧ-нагрева

5 – 7 МВТ

Мощность тепловой нагрузки на приемные диверторные пластины

2 –20 МВт/м2

Конструктивные особенности КТМ

  • Мегаамперная установка с аспектным отношением А=2 для испытания материалов и технологий в штатных и аварийных (режим срыва плазмы) условиях работы.
  • Организация стационарного режима горения плазменного шнура с температурой >10 млн. К с помощью дополнительного ВЧ-нагрева мощностью до 8 МВт
  • Организация стационарных потоков пристеночной плазмы в диверторную область с мощностями до 20 МВт/м2, близкими или превышающими мощности потоков в дивертор и на стенку камеры ИТЭР
  • Создания устройств, позволяющих оперативно менять материалы диверторных пластин, условия приема и величины потоков плазмы, быструю откачку и других
  • Регулируемая мощность потоков плазмы с помощью:
    • расстояния от х-точки сепаратрисы до диверторных пластин;
    • изменения угла наклона диверторных пластин к оси токамака;
    • cвипирования х-точки сепаратрисы при помощи дополнительной полоидальной обмотки.


 

Основная цель - Развитие в Республике Казахстан наукоемких технологий, подготовка высококвалифицированных научных работников и инженерных кадров, участие РК в международной программе ITER

 

 

 

Исследования: Основным направлением является изучение свойств материалов под воздействием высокотемпературной плазмы в области дивертора.

 

Что такое Токамак?

Токамак - Тороидальная Камера с Магнитными Катушками, предназначенная для проведения исследований в области управляемого термоядерного синтеза

 

Состояние работ
завершены работы по разработке технического проекта и рабочей конструкторской документации на основные системы комплекса и установку
подробнее

Планы работ
В 2006 г. планируется ввод в эксплуатацию системы внешнего электроснабжения, изготовление транспортно-шлюзового устройства...
подробнее